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我国碳基半导体制备材料研制取得突破
加入时间:2020-05-31        来源:央广网


  由中科院院士、北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的团队经过多年的科研探索,在碳基半导体制备材料研究领域取得突破性进展,该科研成果近日发表在国际权威学术期刊《科学》上。
  
  彭练矛和张志勇教授带领科研团队在四英寸基底上制备出密度高达每微米120根、半导体纯度超过99.9999%的碳纳米管平行阵列,并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS的晶体管和电路,成功突破了长期以来阻碍碳纳米管电子学发展的瓶颈。
  
  相比传统硅基技术,碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势,因此也被视作是性能更好的半导体材料。与国外硅基技术制造出来的芯片相比,我国碳基技术制造出来的芯片在处理大数据时不仅速度会更快,而且至少能节约30%左右的功耗。

  (原标题:我国碳基半导体制备材料研制取得突破 至少能节约30%左右的功耗)


(责任编辑:狄丛丛)
 
 
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